TI 使用 IEC/TR 62380 模型來評估器件永久性故障導致的時基故障率。IEC/TR 62380 模型主要聚焦于因電壓和溫度而加速的柵極氧化層完整性類型的故障。這是用于半導體故障建模的一種傳統(tǒng)方法，因為柵極氧化層失效是一種主要磨損機制。但在最近幾代產(chǎn)品中，其他失效模式變得愈發(fā)明顯，而且并不總會因與柵極氧化層失效相同的條件而加速。JEDEC JEP122G“半導體器件的失效機制和模型”可提供更多詳細信息。管理這些失效模式可能需要使用 IEC 61508:2010 和 ISO 26262:2011 中沒有明確說明的其他測試和診斷功能。

TI 的 IEC/TR 62380 模型應用遵循 ISO 26262-11:2018 中的指導信息。永久性故障分為五類，每一類用單獨的固有時基故障率進行估算：MOS 數(shù)字電路、低功耗 SRAM、ROM、可擦塊閃存以及低電壓線性（模擬）。會對五種電路類型的過程時基故障系數(shù)求平均，因為標準中不包含允許集成數(shù)字、模擬、ROM、SRAM 和閃存的過程。請注意，某些器件可能并不具有上面所列的每個類別，在這種情況下，計算時將排除不存在的類別。TI 的估算中默認使用汽車電機控制曲線。