圖 3-1 展示了 BQ25970 簡(jiǎn)化原理圖。

圖 3-1 BQ25970 簡(jiǎn)化原理圖

• CFLY 是電荷泵電容器，它是一個(gè)儲(chǔ)電元件
• 外部 MOSFET 用于 VBUS 的過壓保護(hù)，可將 VBUS 中的專用 OVP 開關(guān)替換為低成本 MOSFET

通常，BQ25970 應(yīng)用的所有電力電容器都應(yīng)為 MLCC（多層陶瓷電容器），因?yàn)樗鼈兊姆庋b更小、ESR 更低且功耗更低。MLCC 電容器的最大不足是其直流偏置電壓會(huì)導(dǎo)致有效電容降低。當(dāng) MLCC 上的直流偏置電壓增加時(shí)，MLCC 的有效電容將相應(yīng)降低。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，必須保持足夠電容，MLCC 數(shù)據(jù)表中直流偏置電壓與電容的關(guān)系曲線對(duì)于尋找合適的電力電容器非常有用。如圖 3-2 所示，當(dāng)直流偏置電壓增加時(shí)，有效電容將快速降低。當(dāng)然，設(shè)計(jì)人員必須考慮電力電容器支持的最大電壓能否滿足實(shí)際要求。例如，如果電源軌為 10V，則設(shè)計(jì)人員應(yīng)選擇 16V MLCC 以避免任何故障。同時(shí)，設(shè)計(jì)人員還必須考慮溫度對(duì)有效電容的影響，因?yàn)椴煌沫h(huán)境工作溫度會(huì)導(dǎo)致有效電容變化。

圖 3-2 MLCC 有效電容與直流偏置電壓和溫度的關(guān)系

外部 MOSFET 將用作 OVP 功能，因此在選擇 MOSFET 時(shí)，其最大額定電壓 V_DS 非常重要。它取決于 VBUS 上的最大電壓，當(dāng) VBUS 上的電壓超過 BQ25970 器件的 OVP 設(shè)置時(shí)，此 MOSFET 將立即關(guān)閉（通常在 100ns 內(nèi)關(guān)閉）。此外，MOSFET 的 R_DS(on) 會(huì)影響效率，因此較低 R_DS(on) 的 MOSFET 是理想選擇。最后，MOSFET 的 V_GS 應(yīng)大于 10V。

CSD17577Q3A 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表中的 MOSFET CSD17577Q3A 規(guī)格表（圖 3-3）顯示了關(guān)鍵參數(shù) V_DS、R_DS(on) 和 V_GS。

圖 3-3 MOSFET 主要規(guī)格表