ZHCAFV5 October 2025 AMC0386-Q1 , TPS61170 , TPS61170-Q1 , TPSI2140-Q1
1.3.2 高電勢(shì)測(cè)試
通常，在車(chē)載充電器的交流側(cè)和保護(hù)接地之間執(zhí)行 Hi-Pot 測(cè)試。圖 1-4 展示了標(biāo)準(zhǔn)的 Hi-Pot 測(cè)試設(shè)置。根據(jù) GB/T 18487.1?2023，當(dāng)設(shè)備的額定絕緣電壓介于 690V 和 800V 之間時(shí)，應(yīng)施加兩個(gè) 830V DC 的測(cè)試電壓。Hi-Pot 測(cè)試對(duì) IMD 電路提出了兩個(gè)主要要求：
- 耐受電壓：IMD 必須能夠承受兩個(gè) 830V DC 的全部應(yīng)力，而不會(huì)出現(xiàn)性能下降或故障。
- 漏電流限值：在施加電壓期間，測(cè)得的漏電流必須保持在標(biāo)準(zhǔn)指定的閾值以下。
圖 1-4 Hi-Pot 測(cè)試示意圖