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LMG2640

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具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、105mΩ GaN 半橋

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RRG) 40 63 mm2 9 x 7
  • 650V GaN 功率 FET 半橋
  • 105m? 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
  • 具有低傳播延遲的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
  • 低側(cè)/高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)互鎖
  • 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
  • 智能開關(guān)自舉二極管功能
  • 高側(cè)啟動(dòng)：< 8μs
  • 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
  • 通過 FLT 引腳報(bào)告實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)
  • AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
  • AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
  • BST 空閑靜態(tài)電流：65μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 具有雙散熱焊盤的 9mm×7mm QFN 封裝
  • 650V GaN 功率 FET 半橋
  • 105m? 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
  • 具有低傳播延遲的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
  • 低側(cè)/高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)互鎖
  • 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
  • 智能開關(guān)自舉二極管功能
  • 高側(cè)啟動(dòng)：< 8μs
  • 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
  • 通過 FLT 引腳報(bào)告實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)
  • AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
  • AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
  • BST 空閑靜態(tài)電流：65μA
  • 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
  • 具有雙散熱焊盤的 9mm×7mm QFN 封裝

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中 。LMG2640 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到 PCB 電源地進(jìn)行冷卻。

高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過充，并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2640 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關(guān)斷。

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中 。LMG2640 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到 PCB 電源地進(jìn)行冷卻。

高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過充，并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2640 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關(guān)斷。
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* 數(shù)據(jù)表 LMG2640 用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 8月 16日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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子卡

LMG2640EVM-090 — LMG2640 子卡

LMG2640 子卡評(píng)估模塊 (EVM) 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái)來(lái)評(píng)估 TI 集成 GaN 器件在任何半橋拓?fù)渲械膽?yīng)用。該電路板旨在使用電路板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳和 10 個(gè)數(shù)字引腳與更大的系統(tǒng)連接。電源引腳形成主開關(guān)環(huán)路，該回路由高壓直流母線、開關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地組成。數(shù)字引腳通過 PWM 柵極輸入來(lái)控制 LMG2640 器件，使用低壓電源提供輔助電源，并以數(shù)字輸出形式報(bào)告故障信息。使用 TI 的同步降壓/升壓主板 (LMG342X-BB-EVM) 可以非常輕松地評(píng)估 LMG2640EVM (...)

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計(jì)算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
  • LMG2610 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
  • LMG2640 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、105mΩ GaN 半橋
  • LMG2650 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、95mΩ GaN 半橋
  • LMG2652 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、140mΩ GaN 半橋
  • LMG2656 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、230mΩ GaN 半橋
  • LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
  • LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN
  • LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級(jí)
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (RRG) 40 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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