LMG3522R030-Q1
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 結(jié)溫：–40°C 至 +150°C，TJ
- 帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度柵極偏置電壓
- 200V/ns FET 釋抑
- 2MHz 開(kāi)關(guān)頻率
- 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和緩解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 電源供電
- 強(qiáng)大的保護(hù)
- 響應(yīng)時(shí)間 < 100ns 的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)
- 硬開(kāi)關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
- 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
- 高級(jí)電源管理
- 數(shù)字溫度 PWM 輸出
- 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開(kāi)，可實(shí)現(xiàn)超低的電源環(huán)路電感
LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R030-Q1 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告，這可簡(jiǎn)化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)熱、過(guò)流和 UVLO 監(jiān)控。
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