ZHCSV74A June 2024 – July 2025 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
DRV2911-Q1 中的功率損耗包括待機(jī)功率損耗、LDO 功率損耗、FET 導(dǎo)通和開關(guān)損耗以及二極管損耗。FET 導(dǎo)通損耗在 DRV2911-Q1 的總功率耗散中占主導(dǎo)地位。總器件耗散是兩個(gè)半橋中每個(gè)半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。請(qǐng)注意，RDS,ON 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在設(shè)計(jì) PCB 和散熱時(shí)，應(yīng)考慮這一點(diǎn)。
用于計(jì)算每個(gè)損耗的公式摘要如表 7-2 所示。
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損耗類型 |
功率損耗近似值計(jì)算 |
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待機(jī)功耗 |
Pstandby = VPVDD x IPVDD_TA | |
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LDO |
PLDO = (VPVDD-VAVDD) x IAVDD | |
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FET 導(dǎo)通 |
PCON = 2 x (IPK)2 x Rds,on(TA) | |
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FET 開關(guān) |
PSW = IPK x VPVDD x trise/fall x fPWM | |
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Diode |
Pdiode = 2 x IPK x VF(diode)x tDEADTIME x fPWM | |