ZHCSV74A June 2024 – July 2025 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細說明
- 7 應用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購信息
6.3.6 壓擺率控制
對半橋的 MOSFET 實施可調(diào)柵極驅(qū)動電流控制，以實現(xiàn)壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復尖峰的能量和持續(xù)時間以及與寄生效應相關(guān)的開關(guān)電壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。這些壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率決定，如圖 6-13 所示。
圖 6-13 壓擺率電路實現(xiàn)可以按照圖 6-2 通過 SLEW 引腳調(diào)整壓擺率。有四種壓擺率設(shè)置可用：25V/μs、50V/μs、125V/μs 或 200V/μs。壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出，如圖 6-14 所示。
圖 6-14 壓擺率時序