ZHCSV74A June 2024 – July 2025 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購(gòu)信息
6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
該器件受到全面保護(hù)，可防止 MOSFET 發(fā)生任何跨導(dǎo) - 在高側(cè)和低側(cè) MOSFET 切換期間，DRV2911-Q1 通過(guò)插入死區(qū)時(shí)間 (tdead) 來(lái)避免擊穿事件。這是通過(guò)檢測(cè)高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側(cè) MOSFET 的 VGS 已達(dá)到低于關(guān)斷電平，然后再打開(kāi)同一半橋的低側(cè) MOSFET（反之亦然）來(lái)實(shí)現(xiàn)的，如圖 6-15 和圖 6-16 所示。
圖 6-15 跨導(dǎo)保護(hù)
圖 6-16 死區(qū)時(shí)間