ZHCSMO7C June 2020 – July 2022 DRV8428
PRODUCTION DATA
對于在全橋內(nèi)連接的電機而言,電流路徑為通過一個半橋的高側(cè) FET 和另一個半橋的低側(cè) FET。導通損耗 (PCOND) 取決于電機的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導通電阻(如{9} 所示)。GUID-1211F8A4-4BD0-43F5-808E-14C07106E6D8#GUID-1211F8A4-4BD0-43F5-808E-14C07106E6D8/T5102272-187
{21} 中計算了{20} 中顯示的典型應用的導通損耗。GUID-B5B5313D-D5DC-4B29-BCF6-C84D11D75A33#GUID-B5B5313D-D5DC-4B29-BCF6-C84D11D75A33/SLVSD398116GUID-1211F8A4-4BD0-43F5-808E-14C07106E6D8#GUID-1211F8A4-4BD0-43F5-808E-14C07106E6D8/T5102272-196
這種計算方式高度依賴于器件的溫度,因為溫度會顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導通電阻。如需更準確地計算該值,請考慮器件溫度對 FET 導通電阻的影響。