ZHCSMO7C June 2020 – July 2022 DRV8428
PRODUCTION DATA
在 PWM 電流斬波期間,將啟用 H 橋以驅(qū)動(dòng)電流流過電機(jī)繞組,直至達(dá)到 PWM 電流斬波閾值。圖 7-6 的項(xiàng)目 1 中展示了這種情況。
流經(jīng)電機(jī)繞組的電流由一個(gè)可調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間的 PWM 電流調(diào)節(jié)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng) H 橋被啟用時(shí),通過繞組的電流以一定的速率上升,該速率取決于直流電壓、繞組電感和存在的反電動(dòng)勢(shì)大小。當(dāng)電流達(dá)到電流調(diào)節(jié)閾值時(shí),電橋?qū)⑦M(jìn)入衰減模式以減小電流,該模式的持續(xù)時(shí)間取決于七電平 DECAY/TOFF 引腳設(shè)置。關(guān)斷時(shí)間結(jié)束后,將重新啟用電橋,開始另一個(gè) PWM 循環(huán)。
圖 7-5 電流斬波波形達(dá)到斬波電流閾值后,H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運(yùn)行:快速衰減或慢速衰減。在快速衰減模式下,一旦達(dá)到 PWM 斬波電流電平,H 橋便會(huì)進(jìn)行狀態(tài)逆轉(zhuǎn),使繞組電流反向流動(dòng)。圖 7-6 的項(xiàng)目 2 中展示了快速衰減模式。在慢速衰減模式下,通過啟用該電橋的兩個(gè)低側(cè) FET 來實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 7-6 的項(xiàng)目 3 中展示了這種情況。
PWM 斬波電流由比較器設(shè)置,該比較器監(jiān)測(cè)與低側(cè)功率 MOSFET 并聯(lián)的電流感應(yīng) MOSFET 兩端的電壓。電流感應(yīng) MOSFET 通過基準(zhǔn)電流進(jìn)行偏置,該基準(zhǔn)電流是電流模式正弦加權(quán) DAC 的輸出,其滿量程基準(zhǔn)電流通過 VREF 引腳的電壓進(jìn)行設(shè)置。
您可以使用以下公式計(jì)算斬波電流 (IFS):IFS (A) = VREF (V)/KV (V/A) = VREF (V)/3 (V/A)。
圖 7-6 衰減模式通過設(shè)置七電平 DECAY/TOFF 引腳來選擇每個(gè)電橋的衰減模式和關(guān)斷時(shí)間,如表 7-6 所示。
| DECAY/TOFF | 衰減模式 | 關(guān)斷時(shí)間 |
|---|---|---|
| 0 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 | - |
| 14.7k? 至 GND | 混合 30% 衰減 | 7μs |
| 44.2k? 至 GND | 16μs | |
| 100k? 至 GND | 32μs | |
| 249k? 至 GND | 智能調(diào)優(yōu)動(dòng)態(tài)衰減 | 7μs |
| Hi-Z | 16μs | |
| DVDD | 32μs |