ZHCSMO7C June 2020 – July 2022 DRV8428
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD） | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | EN/nFAULT = 1，nSLEEP = 1，無電機負載 |
3.8 |
5.6 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
| tSLEEP | 休眠時間 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
| tWAKE | 喚醒時間 | nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| tON | 開通時間 | VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| VDVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 無外部負載，6V < VVM < 33V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
| 無外部負載，VVM = 4.2V |
3.9 |
4.05 |
V | |||
| 邏輯電平輸入（STEP、DIR、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 150 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
| 三電平輸入 (M0) | ||||||
| VI1 | 輸入邏輯低電平電壓 | 連接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
| VI2 | 輸入高阻態(tài)電壓 | 高阻態(tài) | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
| VI3 | 輸入邏輯高電平電壓 | 連接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
| IO | 輸出上拉電流 | 10 | μA | |||
| 四電平輸入 (M1) | ||||||
| VI1 | 輸入邏輯低電平電壓 | 連接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
| VI2 | 330k? ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
| VI3 | 輸入高阻態(tài)電壓 | 高阻態(tài) | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
| VI4 | 輸入邏輯高電平電壓 | 連接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
| IIL | 輸出上拉電流 | 10 | μA | |||
| 七電平輸入 (DECAY/TOFF) | ||||||
| VI1 | 電壓電平 1 | 連接至 GND | 0 | 0.1 | V | |
| VI2 | 電壓電平 2 | 14.7k? ± 1% 至 GND | 0.2 | 0.35 | V | |
| VI3 | 電壓電平 3 | 44.2k? ± 1% 至 GND | 0.55 | 0.8 | V | |
| VI4 | 電壓電平 4 | 100k? ± 1% 至 GND | 1 | 1.25 | V | |
| VI5 | 電壓電平 5 | 249k? ± 1% 至 GND | 1.5 | 1.75 | V | |
| VI6 | 電壓電平 6 | 高阻態(tài) | 2.1 | 2.4 | V | |
| VI7 | 電壓電平 7 | 連接至 DVDD | 3 | 5.5 | V | |
| IIL | 輸出上拉電流 | 22.5 | μA | |||
| 控制輸入/輸出 (EN/nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| RPD2 | 內(nèi)部下拉電阻 | 2 | M? | |||
| IL | 泄漏電流 | VEN/nFAULT = 5V，故障狀況 | 375 | μA | ||
| 電機驅(qū)動器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2） | ||||||
| RDS(ONH) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = -0.5A | 750 | 875 | m? | |
| VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = -0.5A | 1130 | 1350 | m? | |||
| VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = -0.5A | 1250 | 1450 | m? | |||
| RDS(ONL) | 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = 0.5A | 750 | 875 | m? | |
| VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = 0.5A | 1130 | 1350 | m? | |||
| VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = 0.5A | 1250 | 1450 | m? | |||
| tSR | 輸出壓擺率 | VVM = 24V、IO = 0.5A，在 10% 至 90% 之間 | 240 | V/μs | ||
| PWM 電流控制 (VREF) | ||||||
| KV | 跨阻增益 | VREF = 3V | 2.805 | 3 | 3.195 | V/A |
| tOFF | PWM 關(guān)斷時間，混合 30% 衰減 | DECAY/TOFF = 14.7kΩ 至 GND | 7 | μs | ||
| DECAY/TOFF = 44.2kΩ 至 GND | 16 | |||||
| DECAY/TOFF = 100kΩ 至 GND | 32 | |||||
| PWM 關(guān)斷時間，智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減 | DECAY/TOFF = 249kΩ 至 GND | 7 | ||||
| DECAY/TOFF = 高阻態(tài) | 16 | |||||
| DECAY/TOFF = 連接至 DVDD | 32 | |||||
| ΔITRIP | 電流跳變精度 | IO = 1A，10% 至 20% 電流設(shè)置 | -15 | 15 | % | |
| IO = 1A，20% 至 67% 電流設(shè)置 | -10 | 10 | ||||
| IO = 1A，68% 至 100% 電流設(shè)置 | -6 |
6 | ||||
| IO,CH | AOUT 和 BOUT 電流匹配 | IO = 1A | -2.5 | 2.5 | % | |
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 鎖定 | VM 下降，UVLO 下降 | 3.8 | 3.95 | 4.05 | V |
| VM 上升，UVLO 上升 | 3.9 | 4.05 | 4.15 | |||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| IOCP | 過流保護 | 流經(jīng)任何 FET 的電流 | 1.7 | A | ||
| tOCP | 過流抗尖峰時間 |
1.8 | μs | |||
| tRETRY | 過流重試時間 |
4 |
ms | |||
| TOTSD | 熱關(guān)斷 | 內(nèi)核溫度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 熱關(guān)斷遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 20 | °C | ||