ZHCSLW7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
對(duì)于在全橋內(nèi)連接的電機(jī)而言,電流路徑為通過一個(gè)半橋的高側(cè) FET 和另一個(gè)半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機(jī)的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻(如方程式 17 所示)。
方程式 18 中計(jì)算了表 8-1 中顯示的典型應(yīng)用的導(dǎo)通損耗。
這種功率計(jì)算在很大程度上取決于器件溫度,而器件溫度對(duì) FET的高側(cè)和低側(cè)的導(dǎo)通電阻有很大影響。為了更準(zhǔn)確地計(jì)算該值,應(yīng)考慮器件溫度對(duì) FET 導(dǎo)通電阻的影響。