ZHCS219D July 2011 – December 2024 DRV8803
PRODUCTION DATA
DRV8803 器件中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻或 RDS(on) 中耗散的功率決定。每個(gè) FET 在運(yùn)行靜態(tài)負(fù)載時(shí)的平均功耗可以通過 方程式 3 大致估算:

其中
在啟動和故障情況下,此電流遠(yuǎn)大于正常運(yùn)行電流;請將這些峰值電流及其持續(xù)時(shí)間考慮在內(nèi)。當(dāng)同時(shí)驅(qū)動多個(gè)負(fù)載時(shí),必須將所有有源輸出級的功率相加。
器件中可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。
請注意,RDS(on) 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發(fā)熱,功率耗散也會增大。在確定散熱器尺寸時(shí),必須考慮到這一點(diǎn)。