ZHCS219D July 2011 – December 2024 DRV8803
PRODUCTION DATA
電流路徑從電源 VLOAD 開(kāi)始，流經(jīng)電感繞組負(fù)載和低側(cè)灌電流 NMOS 功率 FET。一個(gè)灌電流 NMOS 功率 FET 中的功率耗散損耗如 方程式 2 所示。
經(jīng)測(cè)量，DRV8803 器件支持 1.5A 單通道或 800mA 四通道（采用 DW 封裝）、2A 單通道或 1A 四通道（采用 PWP 封裝）以及 1.9A 單通道或 0.9A 四通道（采用 DYZ 封裝），在 25°C 下使用標(biāo)準(zhǔn) FR-4 PCB 測(cè)得。最大 RMS 電流因 PCB 設(shè)計(jì)和環(huán)境溫度而異。
對(duì)于繼電器和電磁閥等負(fù)載，如果允許負(fù)載完全打開(kāi)，負(fù)載往往會(huì)升溫并退化。這會(huì)影響負(fù)載的長(zhǎng)期可靠性，在某些情況下甚至?xí)p壞負(fù)載。DRV8803 提供一個(gè)集成型續(xù)流二極管和一個(gè)簡(jiǎn)單易用的并行接口。由于此類負(fù)載具有電感性，因此用戶可以通過(guò)對(duì) LSFET 進(jìn)行開(kāi)/關(guān) PWM 來(lái)調(diào)節(jié)電流。