ZHCS219D July 2011 – December 2024 DRV8803
PRODUCTION DATA
電流路徑從電源 VM 開始，流經電感繞組負載和低側灌電流 NMOS 功率 FET。一個灌電流 NMOS 功率 FET 中的功率耗散損耗如 方程式 2 所示。
經測量，DRV8803 器件支持 1.5A 單通道或 800mA 四通道（采用 DW 封裝）、2A 單通道或 1A 四通道（采用 PWP 封裝）以及 1.9A 單通道或 0.9A 四通道（采用 DYZ 封裝），在 25°C 下使用標準 FR-4 PCB 測得。最大 RMS 電流因 PCB 設計和環(huán)境溫度而異。