ZHCSIT4C September 2018 – December 2025 LM5164-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細說明
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
訂購信息
7.4.1.1 專為降低 EMI 而設(shè)計的緊湊型 PCB 布局
高電流變化率 (di/dt) 元件產(chǎn)生的輻射 EMI 與開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的脈沖電流相關(guān)。脈沖電流路徑覆蓋的面積越大，產(chǎn)生的電磁輻射就越多。更大限度地減小輻射 EMI 的關(guān)鍵是識別脈沖電流路徑并盡可能地減小該路徑覆蓋的面積。
圖 7-16 表示降壓轉(zhuǎn)換器功率級與 EMI 相關(guān)的關(guān)鍵開關(guān)環(huán)路。降壓轉(zhuǎn)換器的拓撲結(jié)構(gòu)意味著在由輸入電容器和 LM5164-Q1 的集成 MOSFET 組成的環(huán)路中存在一條電流變化率特別高的電流路徑，因此必須盡可能減小有效環(huán)路面積，以此來減少此環(huán)路的寄生電感。
圖 7-16 具有功率級電路開關(guān)環(huán)路的直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器輸入電容器為高側(cè) MOSFET 電流的高電流變化率元件提供初級路徑。盡可能靠近 VIN 引腳和 GND 引腳放置陶瓷電容器是降低 EMI 的關(guān)鍵所在。連接 SW 和電感器的走線應(yīng)盡可能短，并且寬度應(yīng)足以承載負載電流而不會出現(xiàn)過熱現(xiàn)象。為電流傳導(dǎo)路徑使用短而厚的走線或覆銅（形狀），以盡可能減小寄生電阻。將輸出電容器放在靠近電感器 VOUT 側(cè)的位置，并將電容器的返回端子連接到 LM5164-Q1 的 GND 引腳和外露焊盤。