ZHCSIT4C September 2018 – December 2025 LM5164-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
訂購信息
6.3.6 電流限值
LM5164-Q1 使用峰值電感電流的逐周期電流限制來管理過流情況。每個開關周期都會將在高側 MOSFET 中檢測到的電流與電流限制閾值 (1.5A) 進行比較。為了保護轉換器免受潛在電流失控情況的影響，LM5164-Q1 包含折返谷值電流限制功能（限值設置為 1.2A），如果檢測到峰值電流限值，則會啟用該功能。如圖 6-1 所示，如果高側 MOSFET 中的峰值電流超過 1.5A（典型值），則無論編程的導通時間 (tON) 如何，當前周期都會立即終止，高側 MOSFET 將關斷，并且將激活折返谷值電流限制。低側 MOSFET 保持導通狀態(tài)，直到電感器電流降至此折返谷值電流限值以下，然后啟動下一個導通脈沖。這種方法折返開關頻率以防止過熱，并將平均輸出電流限制為小于 1.5A，以確保 LM5164-Q1 獲得適當?shù)亩搪泛椭刎撦d保護。
圖 6-1 電流限值時序圖經(jīng)過高側 MOSFET 導通轉換后的前沿消隱時間后檢測電流。電流限值比較器的傳播延遲為 100ns。在導通時間小于 100ns 的高降壓條件下，低側 FET 中的備用峰值電流限值比較器也設置為 1.5A，使折返谷值電流限值設置為 1.2A。這種出色的電流限制方案可實現(xiàn)超低占空比運行，從而允許進行較大的降壓轉換，同時確保為轉換器提供強大的保護。