ZHCSIT4C September 2018 – December 2025 LM5164-Q1
PRODUCTION DATA
LM5164-Q1 高側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通時(shí)間由 RRON 電阻器決定，與輸入電壓 VIN 成反比。由于與 VIN 成反比，因此當(dāng) VIN 發(fā)生變化時(shí)，其頻率幾乎保持不變。使用公式 11 計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間。
使用公式 12 確定 RRON 電阻器，以設(shè)置 CCM 下的特定開(kāi)關(guān)頻率。
選擇 RRON 以使最短導(dǎo)通時(shí)間（VIN 最大值時(shí)）大于 50ns，從而確保正常運(yùn)行。除了該最短導(dǎo)通時(shí)間外，此器件的最大頻率限制為 1MHz。