ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
內(nèi)部自舉二極管功能通過智能開關(guān) GaN 自舉 FET 實現(xiàn)。當(dāng) GaN 自舉 FET 關(guān)斷時，GaN 自舉 FET 會在 AUX 和 BST 之間的兩個方向上阻斷電流。
自舉二極管功能在低側(cè) GaN 功率 FET 導(dǎo)通時激活，在低側(cè) GaN 功率 FET 關(guān)斷時停用。GaN 自舉 FET 在自舉二極管非活動階段保持關(guān)斷。GaN 自舉 FET 在自舉活動階段開始時一次性導(dǎo)通，并被控制為理想二極管，二極管電流從 AUX 流向 BST 為 BST 至 SW 電容器充電。如果在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通后檢測到從 BST 至 AUX 的小反向電流，則在自舉活動階段的剩余時間內(nèi)，GaN 自舉 FET 將關(guān)斷。
當(dāng) BST 至 SW 電容器在自舉活動階段開始時嚴(yán)重放電時，自舉二極管功能會實現(xiàn)限流功能以保護 GaN 自舉 FET。如果在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通期間沒有電流限制情況，或者自舉功能在 BST 至 SW 電容器充電時超出電流限制，則在 GaN 自舉 FET 導(dǎo)通時間的剩余時間內(nèi)會禁用電流限制功能。電流限制功能被禁用以節(jié)省靜態(tài)電流。