ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 低側(cè) GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(ls) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 ID(ls) > 50mA, VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 33 | ns | ||
| td(on)(ls) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 VDS(ls) < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 39 | ns | ||
| tr(on)(ls) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 2.4 | ns | ||
| td(off)(ls) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VINL < VINL,IT– 到 VDS(ls) > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 40 | ns | ||
| tf(off)(ls) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | 從 VDS(ls) > 80V 到 VDS(ls) > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 16.0 | ns | ||
| 導(dǎo)通壓擺率 | 從 VDS(ls) < 250V 到 VDS(ls) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 125 | V/ns | |||
| 高側(cè) GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(hs) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 33 | ns | ||
| td(on)(hs) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 VDS(hs) < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 39 | ns | ||
| tr(on)(hs) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 2.4 | ns | ||
| td(off)(hs) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VINH < VINH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 40 | ns | ||
| tf(off)(hs) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | 從 VDS(hs) > 80V 到 VDS(hs) > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 16.0 | ns | ||
| 導(dǎo)通壓擺率 | 從 VDS(hs) < 250V 到 VDS(hs) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 125 | V/ns | |||
| 低側(cè)過(guò)流保護(hù) | ||||||
| t(OC)(ls) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，過(guò)流前 FET 導(dǎo)通 | 在遵從 ID(ls) 壓擺率下，從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) | ||||
| ID(ls) di/dt = 12A/μs | 175 | ns | ||||
| ID(ls) di/dt = 24A/μs | 150 | ns | ||||
| ID(ls) di/dt = 120A/μs | 90 | |||||
| t(OC)(en)(ls) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，F(xiàn)ET 被啟用為短路 | VDS(ls) = 50V；從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) | 122 | ns | ||
| 高側(cè)過(guò)流保護(hù) | ||||||
| t(OC)(hs) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，過(guò)流前 FET 導(dǎo)通 | 在以下 ID(hs) 壓擺率下，從 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) | ||||
| ID(hs) di/t = 12A/μs | 175 | ns | ||||
| ID(hs) di/t = 24A/μs | 150 | ns | ||||
| ID(hs) di/dt = 120A/μs | 90 | |||||
| t(OC)(en)(hs) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，F(xiàn)ET 被啟用為短路 | VDS(hs) = 50V；從 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) | 122 | ns | ||
| CS | ||||||
| tr | 上升時(shí)間 | 從 ICS(src) > 0.1 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，低側(cè)啟用至 2.5A 負(fù)載 | 35 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時(shí)間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||
| BST | ||||||
| 從深度 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側(cè)對(duì) INH 上升沿做出反應(yīng)，VBST_SW 在 1μs 內(nèi)從 0V 上升到 10V | 5 | μs | |||
| 從淺 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側(cè)對(duì) INH 上升沿做出反應(yīng)，VBST_SW 在 0.5μs 內(nèi)從 5V 上升到 10V | 2 | μs | |||