ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
LMG2650 為低側(cè)和高側(cè)器件電路實現(xiàn)了單獨的過熱保護。低側(cè)過熱保護功能可阻止 INL 引腳導(dǎo)通低側(cè) GaN 功率 FET,并在低側(cè)溫度高于過熱保護溫度時阻止 INH 引腳導(dǎo)通高側(cè) GaN 功率 FET。如果高側(cè)溫度高于過熱保護溫度,高側(cè)過熱保護會阻止 GDH 引腳導(dǎo)通高側(cè) GaN 功率 FET。圖 7-3 展示了過熱阻斷操作。過熱保護遲滯可避免不穩(wěn)定的熱循環(huán)。
當(dāng) AUX 電壓高于 AUX 上電復(fù)位電壓時,將啟用低側(cè)過熱保護。當(dāng) AUX 電源軌在電源轉(zhuǎn)換器冷卻階段下降時,低 AUX 上電復(fù)位電壓有助于過熱保護功能保持運行。當(dāng) BST 至 SW 電壓高于 BST 上電復(fù)位電壓時,將啟用高側(cè)過熱保護。