ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
低側(cè)和高側(cè) GaN 功率 FET 的導(dǎo)通壓擺率可單獨編程,有四種分立的設(shè)置可選。低側(cè)壓擺率可通過 RDRVL 和 AGND 引腳之間的電阻進行編程。高側(cè)壓擺率可通過 RDRVH 和 SW 引腳之間的電阻進行編程。當(dāng) AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復(fù)位電壓時,可在 AUX 上電期間確定低側(cè)一次壓擺率設(shè)置。當(dāng) BST 至 SW 電壓上升到高于 BST 上電復(fù)位電壓時,可在 BST 至 SW 上電期間確定一次高側(cè)壓擺率設(shè)置。壓擺率設(shè)置確定時間未指定,但大約為 0.4μs。
表 7-1 展示了四個壓擺率設(shè)置下的建議典型電阻設(shè)定值以及每個設(shè)置下的典型導(dǎo)通壓擺率。如表中所示,對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 0,開路連接是可接受的;對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 3,短路連接(RDRVL 短接至 AGND 以實現(xiàn)低側(cè)導(dǎo)通壓擺率)(RDRVH 短接至 SW 以實現(xiàn)高側(cè)導(dǎo)通壓擺率)是可接受的。
| 導(dǎo)通壓擺率設(shè)置 | 建議的典型編程電阻 (kΩ) | 典型導(dǎo)通壓擺率 (V/ns) | 注釋 |
|---|---|---|---|
| 0 | 120 | 2 | 可接受設(shè)定電阻的開路連接。 |
| 1 | 47 | 5 | |
| 2 | 22 | 23 | |
| 3 | 5.6 | 50 | 可接受通過短路連接來設(shè)定電阻(RDRVL 短接至 AGND 以實現(xiàn)低側(cè)壓擺率)(RDRVH 短接至 SW 以實現(xiàn)高側(cè)壓擺率)。 |