ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
LMG2650 可為半橋 GaN 功率 FET 實(shí)現(xiàn)逐周期過流保護(hù)。圖 7-5 展示了逐周期過流操作。每個(gè) INL、INH 或 GDH 邏輯高電平周期都會(huì)導(dǎo)通受控 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏極電流超過過流閾值電流,過流保護(hù)會(huì)在 INL、INH 或 GDH 邏輯高電平的剩余時(shí)間內(nèi)關(guān)斷 GaN 功率 FET。
逐周期過流保護(hù)功能可更大限度地減少系統(tǒng)中斷,因?yàn)椴粫?huì)報(bào)告該事件,并且保護(hù)功能允許 GaN 功率 FET 在每個(gè) INL、INH 或 GDH 周期導(dǎo)通一次。
如 節(jié) 7.3.3 部分所述,在低側(cè) GaN 功率 FET 由低側(cè)過流保護(hù)功能關(guān)斷后,會(huì)產(chǎn)生人工 CS 引腳電流,以防止控制器進(jìn)入掛起狀態(tài)。