ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 低側(cè) GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(ls) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 ID(ls) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 48 | 165 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 48 | 100 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 43 | 80 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 34 | 65 | ||||
| td(on)(ls) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 VDS(ls) < 390V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 89 | 255 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 70 | 137 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 59 | 100 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 41 | 75 | ||||
| tr(on)(ls) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 131 | 180 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 51 | 65 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 11 | 19 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 5 | 10 | ||||
| td(off)(ls) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VINL < VINL,IT– 到 VDS(ls) > 80V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A（與壓擺率設(shè)置無(wú)關(guān)），請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | 45 | 65 | ns | |
| tf(off)(ls) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | 從 VDS(ls) > 80V 到 VDS(ls) > 320V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A（與壓擺率設(shè)置無(wú)關(guān)），請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | 20 | ns | ||
| 導(dǎo)通壓擺率 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 2 | V/ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 5 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 23 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 50 | |||||
| 高側(cè) GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(hs,INH) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 51 | 160 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 51 | 95 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 45 | 78 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 34 | 62 | ||||
| td(on)(Idrain)(hs,GDH) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VGDH > VGDH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 46 | 150 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 46 | 90 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 41 | 75 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 32 | 63 | ||||
| td(on)(hs,INH) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 VDS(hs) < 390V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 75 | 250 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 67 | 133 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 56 | 97 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 39 | 73 | ||||
| td(on)(hs,GDH) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VGDH > VGDH,IT+ 到 VDS(hs) < 390V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 110 | 233 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 83 | 126 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 68 | 96 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 46 | 74 | ||||
| tr(on)(hs) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 133 | 178 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 50 | 65 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 10 | 18.5 | ||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 4 | 10 | ||||
| td(off)(hs,INH) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VINH < VINH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設(shè)置無(wú)關(guān)），請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | 40 | 55 | ns | |
| td(off)(hs,GDH) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VGDH < VGDH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設(shè)置無(wú)關(guān)），請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | 40 | 65 | ns | |
| tf(off)(hs) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | 從 VDS(hs) > 80V 到 VDS(hs) > 320V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設(shè)置無(wú)關(guān)），請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | 20 | ns | ||
| 導(dǎo)通壓擺率 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，ISW = –2.65A，采用以下高側(cè)壓擺率設(shè)置，請(qǐng)參閱 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 2 | V/ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 5 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 23 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 50 | |||||
| 低側(cè)過(guò)流保護(hù) | ||||||
| t(OC)(ls) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，過(guò)流前 FET 導(dǎo)通 | 從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls), ID(ls) di/dt = 125A/μs | 75 | 120 | ns | |
| t(OC)(en)(ls) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，F(xiàn)ET 被啟用為短路 | 在以下壓擺率設(shè)置下，VDS(ls) = 100V；從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 390 | 470 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 205 | 235 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 175 | 205 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 125 | 172 | ns | |||
| 高側(cè)過(guò)流保護(hù) | ||||||
| t(OC)(hs) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，過(guò)流前 FET 導(dǎo)通 | 從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls), ID(hs) di/dt = 125A/μs | 65 | 125 |
ns | |
| t(OC)(en)(hs) | 過(guò)流故障響應(yīng)時(shí)間，F(xiàn)ET 被啟用為短路 | 在以下壓擺率設(shè)置下，VDS(hs) = 100V；從 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 330 | 375 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 175 | 190 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 145 | 170 | ns | |||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 100 | 150 | ns | |||
| CS | ||||||
| tr | 上升時(shí)間 | 從 ICS(src) > 0.2 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，低側(cè)啟用為 2.65A 負(fù)載 | 30 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時(shí)間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||
| BST | ||||||
| 從深度 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側(cè)對(duì) INH 或 GDH 高電平做出反應(yīng)，VBST_SW 在 1μs 內(nèi)從 0V 上升到 10V | 5 | μs | |||
| 從淺 BST 到 SW 放電的啟動(dòng)時(shí)間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側(cè)對(duì) INH 或 GDH 高電平做出反應(yīng)，VBST_SW 在 0.5μs 內(nèi)從 5V 上升到 10V | 3.2 | μs | |||