ZHCSTP6A May 2024 – November 2025 LMG2650
PRODUCTION DATA
電流檢測(cè)仿真功能可在 CS 引腳的輸出端產(chǎn)生與 GaN 功率 FET 漏極正向電流成比例的電流。電流檢測(cè)仿真增益 GCSE 的定義是,每有 1A 電流流入低側(cè) GaN 功率 FET 的漏極,即 ID,CS 引腳輸出 0.554mA 電流,即 ICS。
CS 引腳通過(guò)一個(gè)電阻器 RCS 端接至 AGND,用于生成外部電源控制器的電流檢測(cè)電壓輸入信號(hào)。
通過(guò)求解傳統(tǒng)電流檢測(cè)設(shè)計(jì)電阻 RCS(trad) 再乘以 GCSE 的倒數(shù)來(lái)確定 RCS。傳統(tǒng)的電流檢測(cè)設(shè)計(jì)通過(guò)使 GaN 功率 FET 漏極電流 ID 通過(guò) RCS(trad) 來(lái)產(chǎn)生電流檢測(cè)電壓 VCS(trad)。LMG2650 通過(guò)使 CS 引腳輸出電流 ICS 通過(guò) RCS 來(lái)創(chuàng)建電流檢測(cè)電壓 VCS。兩種設(shè)計(jì)的電流檢測(cè)電壓必須相同。
CS 引腳在內(nèi)部鉗位至典型值 2.5V。例如,如果 CS 引腳上的電流檢測(cè)電阻斷開(kāi)連接,該鉗位可保護(hù)易受影響的電源控制器電流檢測(cè)輸入引腳免受過(guò)壓影響。
圖 7-2 展示了電流檢測(cè)仿真運(yùn)行。在這兩個(gè)周期中,CS 引腳電流模擬 GaN FET 啟用時(shí)的 GaN 功率 FET 漏極電流。第一個(gè)周期顯示了正常運(yùn)行,其中當(dāng)控制器電流檢測(cè)輸入閾值跳變時(shí),控制器會(huì)關(guān)閉 GaN 功率 FET。第二個(gè)周期顯示了一種故障情況,即 LMG2650 過(guò)流保護(hù)功能會(huì)在控制器電流檢測(cè)輸入閾值跳變之前關(guān)閉 GaN 功率 FET。在第二個(gè)周期中,LMG2650 生成快速斜升的人工電流檢測(cè)仿真信號(hào)來(lái)使控制器電流檢測(cè)輸入閾值跳變,從而避免控制器 IN 脈沖掛起。人工信號(hào)一直持續(xù)到 IN 引腳變?yōu)檫壿嫷碗娖?,這表示控制器重新控制開(kāi)關(guān)運(yùn)行。