ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
節(jié) 7.2 展示了具有柵極驅(qū)動(dòng)器、高側(cè)電平轉(zhuǎn)換和自舉電路的 LMG3100 GaN FET,其中包括內(nèi)置 UVLO 保護(hù)電路和過壓鉗位電路。鉗位電路會(huì)限制自舉刷新操作,以確保高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器過驅(qū)不超過 5.4V。該器件集成了一個(gè) 1.7mΩ GaN FET (LMG3100R017) 或 4.4m? GaN FET (LMG3100R044),無需外部電平轉(zhuǎn)換器即可使用兩個(gè) LMG3100 形成半橋。該器件可用于許多隔離和非隔離拓?fù)洌瑥亩鴮?shí)現(xiàn)非常簡(jiǎn)單的集成。導(dǎo)通和關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度經(jīng)過了優(yōu)化,可確保高電壓壓擺率,而不會(huì)在柵極或電源環(huán)路上造成任何過多的振鈴。