ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
VCC 旁路電容器為低側(cè)和高側(cè)晶體管提供柵極電荷,并吸收自舉二極管的反向恢復(fù)電荷??赏ㄟ^方程式 1 計(jì)算所需的旁路電容。
QG 是高側(cè)和低側(cè) GaN FET 的獨(dú)立且相等的柵極電荷。QRR 是自舉二極管的反向恢復(fù)電荷。ΔV 是旁路電容器上的最大允許壓降。建議使用 1μF 或更大值的優(yōu)質(zhì)陶瓷電容器。為最大限度減少寄生電感,應(yīng)將旁路電容器盡可能靠近器件的 VCC 和 AGND 引腳放置。