ZHCSUJ6A February 2025 – December 2025 LMG3650R025
PRODMIX
LMG365xR025 是一款具有集成柵極驅動器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復和超低輸出電容，可在基于橋的拓撲中獲得高效率。
集成驅動器可確保器件在漏極壓擺率 時保持關斷狀態(tài)。集成驅動器保護 GaN 器件免受過電流、短路、過熱和 VDD 欠壓。LMG3656R025 具有零電壓檢測 (ZVD) 功能，可在檢測到零電壓開關 (ZVS) 時在 ZVD 引腳輸出脈沖信號。LMG3657R025 包含零電流檢測 (ZCD) 功能，可在漏源電流為負時將 ZCD 引腳設置為高電平，并在檢測到過零點時轉換為低電平。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結，因此沒有反向恢復電荷。然而，GaN 器件仍然會像 p-n 結體二極管一樣從源極導通到漏極，但壓降更高，導通損耗更高。因此，必須在 LMG365xR025 GaN FET 關斷時盡可能縮短源漏導通時間。