ZHCSUJ6A February 2025 – December 2025 LMG3650R025
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- KLA|9
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.2 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)能力
由于硅 FET 長(zhǎng)期占據(jù)功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的主導(dǎo)地位，許多設(shè)計(jì)人員沒(méi)有意識(shí)到銘牌漏源電壓不能用作跨技術(shù)比較器件的等效點(diǎn)。硅 FET 的銘牌漏源電壓由雪崩擊穿電壓決定。GaN FET 的銘牌漏源電壓是根據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)表規(guī)格的長(zhǎng)期遵從性設(shè)定的。
超過(guò)硅 FET 的銘牌漏源電壓可能會(huì)立即導(dǎo)致?lián)p壞或造成永久性損壞。同時(shí)，GaN FET 的擊穿電壓遠(yuǎn)高于銘牌漏源電壓。例如，LMG365xR025 GaN 功率 FET 的擊穿漏源電壓超過(guò) 800V，這使得 LMG365xR025 能夠在超過(guò)相同銘牌額定硅 FET 的條件下運(yùn)行。
LMG365xR025 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)功能借助 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)功能一文進(jìn)行了說(shuō)明。該圖顯示了在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，LMG365xR025 GaN 功率 FET 在四個(gè)不同開(kāi)關(guān)周期內(nèi)的漏源電壓隨時(shí)間的變化情況。不對(duì)開(kāi)關(guān)頻率或占空比進(jìn)行任何聲明。前兩個(gè)周期顯示正常運(yùn)行，后兩個(gè)周期顯示在罕見(jiàn)的輸入電壓浪涌下運(yùn)行。LMG365xR025 GaN 功率 FET 旨在在零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 或不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 開(kāi)關(guān)條件下開(kāi)啟。
圖 7-2 GaN 功率 FET 開(kāi)關(guān)能力
FET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，每個(gè)周期都在 t0 之前開(kāi)始。在 t0 時(shí)，GaN FET 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間，F(xiàn)ET 漏源電壓由開(kāi)關(guān)應(yīng)用的特性響應(yīng)設(shè)置。特性以一條平坦的線（平坦區(qū)）顯示，但可以有其他響應(yīng)。在 t2 時(shí)，GaN FET 導(dǎo)通。正常運(yùn)行時(shí)，瞬態(tài)振鈴電壓限制為 650V，平坦電壓限制為 520V。對(duì)于罕見(jiàn)的浪涌事件，瞬態(tài)環(huán)電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 720V。