GaN 器件具有極低的輸出電容，能夠在高 dv/dt 的情況下快速開關(guān)，因此具有非常低的開關(guān)損耗。為了保持低開關(guān)損耗，應(yīng)盡量減少添加到輸出節(jié)點的額外電容數(shù)量。請遵循以下指南來盡可能減小開關(guān)節(jié)點處 PCB 電容：
- 最大限度減少開關(guān)節(jié)點平面和其他電源與接地平面之間的重疊。
- 使高壓側(cè)器件下的 GND 返回路徑更細，同時保持低電感路徑。
- 選擇具有低電容的高壓側(cè)隔離器集成電路與自舉二極管。
- 將功率電感器盡可能靠近 GaN 器件。
- 使用單層繞組構(gòu)建功率電感器，以更大限度地減小繞組內(nèi)電容。
- 如果無法采用單層電感器，可考慮在初級電感器與 GaN 器件之間放置一個小型電感器，以便有效屏蔽 GaN 器件的額外電容。
- 如果采用背面散熱器，則應(yīng)盡可能減少底部銅層的開關(guān)節(jié)點銅覆蓋面積，以便改善散熱效果。