ZHCSXY0A March 2025 – December 2025 TPS65214
PRODUCTION DATA
輸入電容 - LDO1、LDO2
LDO1 和 LDO2 的輸入電源引腳需要一個(gè)輸入去耦電容器,以盡可能降低輸入紋波電壓。這兩個(gè) LDO 與 VSYS 共享同一個(gè)輸入電源引腳。建議使用至少 4.7μF 的輸入電容。根據(jù) LDO 的輸入電壓,可以使用 6.3V 或更高額定值的電容器。當(dāng) LDO 配置為 LDO 或“負(fù)載開(kāi)關(guān)”時(shí),相同的輸入電容要求適用。
輸出電容 - LDO1、LDO2
LDO 輸出需要一個(gè)輸出電容器,以在負(fù)載階躍或輸入電壓變化期間保持輸出電壓。建議對(duì)每個(gè) LDO 輸出使用 2.2μF 本地電容,ESR 為 100mOhm 或更小。每個(gè) LDO 可支持的總電容(本地 + 負(fù)載點(diǎn))取決于 NVM 配置。LDOx 輸出電容 顯示了允許的最大總輸出電容。請(qǐng)參閱具體可訂購(gòu)器件型號(hào)的技術(shù)參考手冊(cè) (TRM),以根據(jù)寄存器設(shè)置和適用的最大總電容來(lái)確定 LDO 配置。
| 寄存器設(shè)置 | LDO 配置 | 最大總電容(2.2μF 本地 + 負(fù)載點(diǎn)) |
|---|---|---|
| LDOx_LSW_CONFIG | ||
| 0 | LDO | 40uF |
| 1 | 負(fù)載開(kāi)關(guān) | 50uF |