ZHCSXY0A March 2025 – December 2025 TPS65214
PRODUCTION DATA
| POS | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電氣特性 | |||||||
| 9.1.1 | VOL | 低電平輸出電壓（開(kāi)漏） | VIO = 3.6V，IOL = 2mA，GPO/nWAKEUP，GPIO/VSEL，nRSTOUT，nINT | 0.40 | V | ||
| 9.1.2 | VIL | 低電平輸入電壓 | EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL，處于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 | 0.4 | V | ||
| EN/PB，處于 SLEEP 模式 | 0.3×VSYS | V | |||||
| 9.1.3 | VIH | 高電平輸入電壓 | EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL，處于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 | 1.26 | V | ||
| EN/PB，處于 SLEEP 模式 | 0.7×VSYS | V | |||||
| 9.1.4 | VVSENSE | VSENSE 比較器閾值 (EN/PB/VSENSE) | 1.08 | 1.20 | 1.32 | V | |
| 9.1.5 | VVSENSE_HYS | VSENSE 比較器遲滯 (EN/PB/VSENSE) | 8 | 30 | 55 | mV | |
| 9.1.6 | ILKG | 輸入漏電流（GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY） | VIN = 3.3V | 1.0 | μA | ||
| 9.1.7 | CIN | 內(nèi)部輸入引腳電容 (GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY) | 10 | pF | |||
| 9.1.8 | IPD | 下拉電流，在施加 VSYS 后 100μs 可用 | 在 GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY、nINT、nRSTOUT 引腳上 | 18 | 25 | 35 | nA |
| 9.1.9 | ILKG_VSYS_ONLY | 當(dāng) VSYS 存在但數(shù)字電源不存在時(shí)的引腳漏電流 | SDA、nINT | 1 | μA | ||
| 9.1.10 | VPIN_VSYS_ONLY | 當(dāng) VSYS 存在但數(shù)字電源不存在時(shí)的引腳電壓 | GPO、GPIO、nRSTOUT、IOL = 2mA | 0.4 | V | ||
| 時(shí)序要求 | |||||||
| 9.2.1a | tFALL | 輸出緩沖器下降時(shí)間（90% 至 10%） | GPO/nWAKEUP，GPIO，nRSTOUT，nINT，COUT = 10pF | 50 | ns | ||
| 9.2.1b | tRISE | GPIO 輸出緩沖器上升時(shí)間（10% 至 90%） | GPIO | 5 | μs | ||
| 9.2.2a | tPB_ON_SLOW | EN/PB/VSENSE，等待時(shí)間 PB，ON 請(qǐng)求，慢速 | PB，下降沿 | 540 | 600 | 660 | ms |
| 9.2.2b | tPB_ON_FAST | EN/PB/VSENSE，等待時(shí)間 PB，ON 請(qǐng)求，快速 | PB，下降沿 | 180 | 200 | 220 | ms |
| 9.2.2c | tEN_PB_WAKEUP | EN/PB/VSENSE，等待時(shí)間 EN/PB，SLEEP 退出請(qǐng)求 | PB 下降沿或者 EN 上升沿 | 3.5 | 4.0 | 4.5 | s |
| 9.2.3 | tPB_OFF | EN/PB/VSENSE，等待時(shí)間 PB，OFF 請(qǐng)求 | PB，下降沿 | 7.2 | 8.0 | 8.8 | s |
| 9.2.4 | tDEGL_PB_RISE | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 PB，上升沿 | PB，上升沿，長(zhǎng)按 OFF 請(qǐng)求成功后適用 | 115 | 200 | 275 | ms |
| 9.2.5 | tDEGL_PB_INT | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 PB，上升沿或下降沿 | PB，上升沿或下降沿 | 59 | 100 | 137 | ms |
| 9.2.6 | tDEGL_EN_Rise_Slow | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 EN 慢速，上升 | EN，上升沿 | 45 | 50 | 55 | ms |
| 9.2.7 | tDEGL_EN_Rise_Fast | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 EN 快速，上升 | EN，上升沿 | 60 | 120 | 185 | μs |
| 9.2.8 | tDEGL_EN_Fall | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 EN，下降 | EN，下降沿 | 50 | 70 | 93 | μs |
| 9.2.9 | tDEGL_VSENSE_Rise | VSENSE 上升：僅由 VSYSPOR_Rising 和 VSENSE 電壓選通 | VSENSE，上升沿 | 不適用 | |||
| 9.2.10 | tDEGL_VSENSE_Fall | EN/PB/VSENSE，抗尖峰脈沖時(shí)間 VSENSE，下降，與快速/慢速設(shè)置無(wú)關(guān) | VSENSE，下降沿 | 50 | 70 | 93 | μs |
| 9.2.11 | tDEGL_EN/VSENSE_I2C | I2C 觸發(fā)關(guān)斷后的 EN/VSENSE 下降沿抗尖峰脈沖時(shí)間 | I2C 先前發(fā)出關(guān)斷請(qǐng)求后的 EN/VSENSE 下降沿（短于 9.2.8） | 12.5 | 25 | 37.5 | μs |
| 9.2.13 | tDEGL_MFP | 抗尖峰脈沖時(shí)間 MODE/STBY | 上升沿和下降沿 | 90 | 120 | 150 | μs |
| 9.2.14 | tDEGL_GPIO | 抗尖峰脈沖時(shí)間 GPIO | 上升沿和下降沿 | 6.6 | 15.6 | 18 | μs |