三線模式用于需要更高功率傳輸水平或 TPSI3050M 所能提供的最短傳播延遲的應用。VDDP 由可提供所需功率的低阻抗外部電源從 EN 引腳獨立供電。在此模式下，無論 EN 引腳的狀態(tài)如何，始終會產(chǎn)生從初級側(cè)到次級側(cè)的供電。將 EN 引腳設置為邏輯高電平或低電平會將 VDRV 置為有效或置為無效，從而分別啟用或禁用外部開關。圖 7-1 展示了三線模式運行所需的基本設置，其中需要 EN、VDDP 和 VSSP 信號。EN 最高可被驅(qū)動至 5.5V，通常由與 VDDP 位于同一電源軌上的電路驅(qū)動。在該示例中，TPSI3050M 用于驅(qū)動采用共源極配置的背對背 MOSFET。C_VDDP 為器件的 VDDP 電源軌提供所需的去耦電容。C_DIV1 和 C_DIV2 提供 VDDH 和 VDDM 電源軌所需的去耦電容，這些電源軌提供峰值電流來驅(qū)動外部 MOSFET。

圖 7-2 展示了從啟動到穩(wěn)態(tài)條件的基本操作。圖 7-2 展示了使用 TPSI3050M 的操作。在上電之后，TPSI3050M 開始在固定周期（典型值為 25μs）內(nèi)以 R_PXFR 確定的占空比，將功率從 VDDP 傳輸?shù)酱渭墏?cè)，從而開始對 VDDH 和 VDDM 次級側(cè)電源軌充電。只要 VDDP 存在，功率傳輸就會繼續(xù)。VDDH 完全充電所需的時間取決于多個因素，包括 VDDP、C_DIV1、C_DIV2、R_PXFR 的值，以及總體功率傳輸效率。當應用將 EN 引腳驅(qū)動至邏輯高電平時，TPSI3050M 會將信息從初級側(cè)發(fā)送到次級側(cè)，以使 VDRV 生效并將其驅(qū)動為高電平。同樣，將 EN 引腳設置為邏輯低電平會將 VDRV 驅(qū)動為低電平。

圖 7-1 三線模式簡化版原理圖

圖 7-2 采用 TPSI3050M 的三線模式

為了降低平均功耗，TPSI3050M 以突發(fā)方式將功率從初級側(cè)傳輸?shù)酱渭墏?cè)。通過從 PXFR 到 VSSP 引腳選擇七個合適的電阻值中的一個電阻值 R_PXFR，可設定突發(fā)開通時間，從而改變電源轉(zhuǎn)換器的占空比，而此期間突發(fā)周期是固定的。此操作為應用提供了靈活性，從而可以在消耗的功率與輸送的功率之間進行權(quán)衡。更高的功率轉(zhuǎn)換器設置會增加突發(fā)導通時間，進而增加 VDDP 電源的平均功耗并增加傳輸?shù)酱渭墏?cè) VDDH 和 VDDM 電源的功率量。同樣，較低功率轉(zhuǎn)換器設置會縮短突發(fā)導通時間，進而減少從 VDDP 電源消耗的平均功率并減小傳輸?shù)酱渭墏?cè)的功率量。

表 7-1 總結(jié)了三線模式功率傳輸選擇。