ZHCSYV7B July 2010 – September 2025 UCC28070-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 交錯(cuò)式
- 6.3.2 對(duì) PWM 頻率和最大占空比鉗位進(jìn)行編程
- 6.3.3 頻率抖動(dòng)（幅度與速率）
- 6.3.4 外部時(shí)鐘同步
- 6.3.5 多相運(yùn)行
- 6.3.6 VSENSE 和 VINAC 電阻器配置
- 6.3.7 VSENSE 和 VINAC 開(kāi)路保護(hù)
- 6.3.8 電流合成器
- 6.3.9 可編程峰值電流限制
- 6.3.10 線性乘法器與量化電壓前饋
- 6.3.11 增強(qiáng)型瞬態(tài)響應(yīng)（VA 轉(zhuǎn)換率改正）
- 6.3.12 偏置電壓（VCC 和 VREF）
- 6.3.13 PFC 啟用和禁用
- 6.3.14 自適應(yīng)軟啟動(dòng)
- 6.3.15 PFC 啟動(dòng)保持
- 6.3.16 輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.17 零功耗檢測(cè)
- 6.3.18 熱關(guān)斷
- 6.3.19 電流環(huán)路補(bǔ)償
- 6.3.20 電壓環(huán)路補(bǔ)償
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PW|20
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.3.8 電流合成器
UCC28070-Q1 設(shè)計(jì)中最突出的創(chuàng)新之一是電流合成器電路，該電路可以通過(guò)導(dǎo)通時(shí)間采樣和關(guān)斷時(shí)間下降斜率仿真的組合來(lái)同步監(jiān)測(cè)瞬時(shí)指示器電流。
在 GDA 和 GDB 輸出導(dǎo)通期間，指示器電流分別通過(guò)每個(gè)輸出相位的電流變壓器網(wǎng)絡(luò)記錄在 CSA 和 CSB 引腳上。同時(shí)，通過(guò) VINAC 和 VSENSE 引腳持續(xù)監(jiān)控輸入和輸出電壓，可以讓 UCC28070-Q1 在每個(gè)輸出的相應(yīng)關(guān)斷時(shí)間內(nèi)在內(nèi)部重新實(shí)現(xiàn)指示器電流的下降斜率。通過(guò)基于 方程式 12 選擇 RSYNTH 電阻器 (RSYN)，可以調(diào)節(jié)內(nèi)部響應(yīng)，從而適應(yīng)各種應(yīng)用中預(yù)期存在的寬范圍電感值。
在加電和交流壓降恢復(fù)時(shí)發(fā)生浪涌事件期間 (VVSENSE < VVINAC)，合成的下降斜率變?yōu)榱?。在這種情況下，合成的指示器電流保持在 IMO 基準(zhǔn)電壓以上，并且電流環(huán)路將占空比驅(qū)動(dòng)為零。這樣可以避免浪涌事件期間 MOSFET 上的過(guò)大應(yīng)力。VVINAC 降至低于 VVSENSE 后，占空比就會(huì)增加，直到恢復(fù)穩(wěn)定狀態(tài)操作。
圖 6-2 指示器電流的下降斜率
其中：
- LB = 額定電壓零偏置升壓電感 (μH)
- RS = 傳感電阻 (?)
- NCT = 電流傳感變壓器匝數(shù)比
- KR = RB/(RA + RB) = VSENSE 和 VINAC 引腳上的電阻分壓器衰減