ZHCSYV7B July 2010 – September 2025 UCC28070-Q1
PRODUCTION DATA
PFC MOSFET 的主要規(guī)格為:
器件損耗通過 方程式 45 和 方程式 46 計(jì)算。這些計(jì)算為近似值,因?yàn)閾p耗取決于一些控制精度不高的參數(shù)。例如,MOSFET 的 RDS(on) 在溫度從 25°C 升到 125°C 時(shí)可能增加至原值的 2 倍。因此,可能需要多次迭代才能為不同于本文討論的應(yīng)用選擇最優(yōu)器件。
每相承載一半負(fù)載功率,因此傳導(dǎo)損耗估算為:

每個(gè) MOSFET 的開關(guān)損耗估算為:

因此每個(gè) MOSFET 的總損耗為:
