圖 3-3 顯示了集成式驅(qū)動(dòng)器中有源 OLD 的電路實(shí)現(xiàn)。OUT1 通道的高側(cè) FET 和 OUT2 的低側(cè) FET 處于運(yùn)行狀態(tài)?；鶞?zhǔn)電壓發(fā)生器為 OLD 比較器的負(fù)極輸入端子生成等效的基準(zhǔn)電壓，而正極端子反映 FET 中的實(shí)際電壓。如圖 3-3 所示，當(dāng)輸出電壓（V_{OUT1_HS} 和 V_{OUT2_LS}）變得大于比較器的基準(zhǔn)電壓 (V_{OL_REF}) 時(shí)，OL1_HS 和 OL2_LS 的輸出設(shè)置為“1”，

在此示例中，基準(zhǔn) FET 是連接到電流基準(zhǔn)源 (I_{OL_REF}) 的四個(gè) FET 中的任何一個(gè)。V_{OL_REF} 由 I_{OL_REF} 和基準(zhǔn) FET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (R_{DS(ON)_REF}) 決定?，F(xiàn)在，V_{OUT1_HS} 和 V_{OUT2_LS} 由通過 FET（用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載）的電流和導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (R_DS(ON)) 決定。當(dāng)發(fā)生 OLD 事件時(shí)，通過 FET 的電流必須大于 OLD 電流閾值。對(duì)于這些公式，通過 FET 的電流稱為 I_OL。因此，通過將所有這些參數(shù)放入Equation14 中，可以將公式 V_{OL_REF} 修改為：

因此，可以通過以下公式計(jì)算 I_OLD：

Equation16 顯示了 OLD 取決于基準(zhǔn) FET 與用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載的 FET 的導(dǎo)通狀態(tài)電阻比。

通過代入導(dǎo)通狀態(tài)電阻比 (450:1) 和基準(zhǔn)發(fā)生器下拉電流 (20μA) 的值，可以通過以下公式計(jì)算 OLD 電流閾值：

這樣，如果進(jìn)行 OLD 時(shí)通過負(fù)載的電流大于 9mA，則會(huì)登記一個(gè) OLD 事件。

對(duì)于 DRV8873、DRV8873-Q1 和 DRV824x-Q1 器件中的電路實(shí)現(xiàn)，圖 3-4 顯示了 DRV8873/DRV8873-Q1 的有源 OLD 的電路實(shí)現(xiàn)。對(duì)于 OL1_HS 比較器，如果高側(cè)驅(qū)動(dòng) FET 兩端的漏源電壓小于 V_{OL_HS} OLD 閾值，則 OLD1_HS 輸出設(shè)置為“1”并檢測到 OLD。對(duì)于 OL2_HS 比較器，如果體二極管電壓 (V_D) 小于 V_{OL_HS} OLD 閾值，則 OLD2_HS 輸出設(shè)置為“1”并檢測到 OLD。由于電流通過體二極管再循環(huán) (I_OL)，因此體二極管電壓 (V_D) 將取決于 I_OUTX 以發(fā)生 OLD。

這也依賴于運(yùn)行條件和外部電路（如輸出電容器），對(duì)于這種情況，即使存在負(fù)載，也可能導(dǎo)致報(bào)告 OLD。這種情況可能在方向改變期間，或分別在小負(fù)載電流和小 PWM 占空比條件下發(fā)生。

圖 3-5 顯示了 DRV824x-Q1 的有源 OLD 的電路實(shí)現(xiàn)。器件可以在高側(cè)再循環(huán)期間檢測有源狀態(tài)下的開路負(fù)載。這包括直接連接到 VM 或通過另一個(gè)半橋上的高側(cè) FET 進(jìn)行連接的高側(cè)負(fù)載。在 PWM 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間，當(dāng) LS FET 關(guān)閉時(shí)，電感負(fù)載電流通過 HS 體二極管再循環(huán)到 VM。該器件在 HS FET 開啟之前的短暫死區(qū)時(shí)間內(nèi)在 OUTx 上尋找高于 VM 的電壓尖峰。為了觀察電壓尖峰，此負(fù)載電流需要高于由 FET 驅(qū)動(dòng)器置位的輸出上的下拉電流 (IPD_OLA)。如果連續(xù)“3”個(gè)再循環(huán)開關(guān)周期沒有出現(xiàn)此電壓尖峰，則表明負(fù)載電感損失或負(fù)載電阻增加，并被檢測為有源開路檢測故障。

最后，當(dāng)在柵極驅(qū)動(dòng)器中使用有源 OLD 時(shí)，電容器必須放置在負(fù)載相位節(jié)點(diǎn)和 GND 之間。BLDC 電機(jī)以及相位節(jié)點(diǎn)處的雙向和單向 BDC 電機(jī)需要使用這些電容器。如果連接了螺線管負(fù)載，則不需要電容器。電容器的大小必須為：

其中，V_TH 是 FET 的閾值電壓，DRV8343-Q1 和 DRV8340-Q1 中的 V_OLA(min) 為 150mV。FET 的值 C_rss 和 C_oss 應(yīng)該用于 0V V_DS。選擇電容時(shí)，必須考慮 C_phase 的降額。