4 低電流有源開路負(fù)載檢測

DRV89xx-Q1 器件中使用的低電流有源 OLD 專為電機(jī)標(biāo)稱電流小于有源 OLD 的 I_OLD 的負(fù)載而設(shè)計(jì)。圖 4-1 顯示低電流有源 OLD 閾值 (I_{OLD_LOW}) 取代了有源 OLD 中的 I_OLD。在低電流有源 OLD 中，I_{OLD_LOW} 比有源 OLD 的電流 OLD 閾值低約 10 倍。如果 I_{OLD_LOW} 比 I_OLD 低 10 倍，則當(dāng)利用需要較小標(biāo)稱電流來觸發(fā) OLD 事件的負(fù)載時(shí)，允許 OLD 具有更大的靈活性。如果低側(cè) FET 導(dǎo)通，并且在該低側(cè) FET 中流動(dòng)的電流小于 I_{OLD_LOW} 的時(shí)間至少達(dá)到 OLD 抗尖峰時(shí)間 (t_OLD)，則發(fā)生了 OLD 事件。

低電流有源 OLD 必須考慮進(jìn)行以下權(quán)衡：

• 在 DRV89xx-Q1 器件中，此 OLD 僅適用于低側(cè) FET 中流動(dòng)的電流，這意味著無法使用高側(cè) FET 檢測到它。
• 如果使用低電流有源 OLD，則低側(cè) FET 的過流保護(hù)閾值也會(huì)降低 11 倍。
• 低側(cè) FET 的 R_DS(ON) 將增加 11 倍，因此必須監(jiān)測熱性能。然而，鑒于低側(cè) FET 兩端的電流預(yù)期較低，預(yù)計(jì)低側(cè) FET 的熱耗散將受到限制。