開(kāi)關(guān)損耗是功率損耗的另一種形式，與 MOSFET 導(dǎo)通/關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生的能量損耗相關(guān)。這些損耗與完全轉(zhuǎn)換漏源電壓所需的時(shí)間及 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率成正比。

FOC 換向期間的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算公式如下：

在 12V 汽車系統(tǒng)中，導(dǎo)通損耗在總功耗中占主導(dǎo)地位，因此開(kāi)關(guān)損耗不是重點(diǎn)。不過(guò)，隨著汽車制造商轉(zhuǎn)向 48V EV/混合動(dòng)力系統(tǒng)，開(kāi)關(guān)損耗在總損耗中占主導(dǎo)地位。這一市場(chǎng)變化趨勢(shì)促使更多工程師優(yōu)化開(kāi)關(guān)行為，以降低總功耗。

關(guān)注的核心參數(shù)是 MOSFET 在電池電壓范圍內(nèi)進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間。方法是縮短壓擺時(shí)間 ( $\frac{Voltage}{T_{rise/fall}}$ )，可以更高效地切換 MOSFET。通過(guò)增加電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的柵極電流可縮短壓擺時(shí)間，從而加快壓擺率。圖 2-2 顯示了轉(zhuǎn)換率對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響。

圖 2-2 開(kāi)關(guān)損耗（12V 對(duì)比 48V）