4 摘要

隨著 BLDC 系統(tǒng)在汽車系統(tǒng)中過渡到 48V，必須注意的是，MOSFET 開關(guān)損耗不再可以忽略不計。損耗從導通主導轉(zhuǎn)變?yōu)殚_關(guān)主導，這一變化改變了電機驅(qū)動系統(tǒng)的優(yōu)化策略。

更高的壓擺率有助于減少開關(guān)損耗，但必須考慮更快壓擺率（例如 EMI 和振鈴）的不利影響。如果壓擺率過大，系統(tǒng)可能容易受到電壓過沖、電容耦合甚至非預期導通的影響。PCB 布局和正確選擇拉電流和灌電流設置對于優(yōu)化系統(tǒng)至關(guān)重要。通過平衡這些因素，設計人員可使用 DRV8363-Q1 創(chuàng)建一個穩(wěn)健可靠的 48V 系統(tǒng)，而 DRV8363-Q1 不受器件壓擺率能力的限制。