ZHCAG10 November 2025 DRV8363-Q1
MOSFET 的開關(guān)速度越快，產(chǎn)生的電壓瞬變就越劇烈，而這些瞬變包含高頻元件，會以 EMI 的形式傳導(dǎo)出去。所有電路都具有寄生電感和電容，這些 L-C 元件受到的快速激勵時，會形成諧振電路，進而放大某些頻率。這些頻率會對系統(tǒng)的其余部分造成干擾。汽車系統(tǒng)具有嚴(yán)格的 EMI 頻率上限要求，例如符合 CISPR 25 標(biāo)準(zhǔn)，因此對可在終端系統(tǒng)中實現(xiàn)的壓擺率構(gòu)成了限制。