當(dāng)電流從漏極傳導(dǎo)到源極時(shí)，MOSFET 中會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通損耗。MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的通道電阻通常稱為導(dǎo)通狀態(tài)電阻或 R_ds(on)。這些損耗與電流的平方成正比，因此電機(jī)電流成為決定導(dǎo)通損耗的主要因素。FOC 換向期間的導(dǎo)通損耗通過(guò)以下公式計(jì)算得出：

示例 1

假設(shè)兩個(gè)系統(tǒng)的總功率為 960W。

系統(tǒng) A = 12V 電池

系統(tǒng) B = 48V 電池

根據(jù) 方程式 2，如果假設(shè) 12V 和 48V 系統(tǒng)所需的功率輸出相同，則使用歐姆定律，我們可以推導(dǎo)出 48V 系統(tǒng)的工作電流僅為 12 伏系統(tǒng)的四分之一。因此，根據(jù) 方程式 1，流經(jīng) MOSFET 的電流會(huì)更小，使 48V 系統(tǒng)中的導(dǎo)通損耗減少 16 倍。圖 2-1 說(shuō)明了 示例 1 中所示的損耗。

圖 2-1 導(dǎo)通損耗（12V 對(duì)比 48V）