電源、接地布線和去耦電容器對于改進(jìn)布局非常重要。因?yàn)槿ヱ铍娙萜鲿拷骷碗娫吹纳漕l引腳和布線，因此布線必須足夠粗才能支持器件所需的電流。

• PA_LDO_OUT（引腳 1）：TI 建議將去耦電容器放置在靠近器件引腳的位置，并使用足夠粗的布線來實(shí)現(xiàn)到電容器的低阻抗路徑。有關(guān)可視化表示，請參閱圖 3-16。
• VDDA_IN1 和 VDDA_IN2（引腳 4 和 5）：去耦電容器的電源側(cè)必須與一個(gè)帶有兩個(gè)電源過孔（每個(gè)去耦電容器一個(gè)）的多邊形區(qū)域短接在一起。每個(gè)電容器的接地側(cè)必須通過單獨(dú)的過孔直接接地（不要短接在一起），并與頂層接地平面的其余部分隔離。
• 對于 1.8V 電源傳輸，必須使用粗布線或電源平面來承載 VDD_MAIN_IN、VIO、VDDA_IN1、VDDA_IN2 和 VPP_IN 引腳中所需的總電流消耗量。請參閱表 4-9 了解最大電流消耗。
• 1.8V 路徑必須位于器件周圍的一層上，不能是頂層或接地層（將路徑放置在第 3 層或第 4 層）。這樣，電源路徑不能中斷頂層（第 1 層）或連續(xù)接地層（第 2 層）上的射頻布線。每個(gè) 1.8V 電源僅使用一個(gè)過孔。1.8V 電源電流不得在器件下方流動。
• 對于 3.3V 電源傳輸，必須使用粗布線或電源平面來承載 PA_LDO_IN 引腳所需的電流消耗量。有關(guān)更多信息，請參閱表 4-9。電源傳輸也必須置于一個(gè)非頂層或接地層的層上（第 3 層或第 4 層）。
• PA_LDO_IN（引腳 39 和 40）：這兩個(gè)引腳必須與一個(gè)實(shí)心區(qū)域短接在一起。去耦電容器必須靠近器件放置。如果可能，使用兩個(gè)過孔來提供 3.3V 電源軌。
• 引腳 37 和 38 的接地端必須與一個(gè)實(shí)心區(qū)域短接在一起。這個(gè)實(shí)心區(qū)域必須連接至器件的散熱接地焊盤。
• 引腳 3 的接地端必須短接到器件下方的散熱焊盤以及短接到與 RF 布線相鄰的接地平面。

圖 3-16 是從 BP-CC3351 設(shè)計(jì)文件中提取的樣圖。

圖 3-17 是從 M2-CC3351 設(shè)計(jì)文件中提取的樣圖。