ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
高側(cè)偏置電壓是使用自舉技術(shù)生成的,并在內(nèi)部調(diào)節(jié)為 5V(典型值)。該調(diào)節(jié)功能可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。