ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
3 說明
DRV7167A 是一款 100V 半橋功率級，具有集成柵極驅(qū)動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 100V GaN FET，它們采用半橋配置并由一個高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢極為顯著，因為它們的反向恢復(fù)為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 GVDD 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓調(diào)節(jié)技術(shù)確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全工作范圍內(nèi)。該器件支持兩個 FET 的導(dǎo)通和關(guān)斷壓擺率控制、與 IO 數(shù)量受限的控制器配合使用的單 PWM 模式、短路保護 (SCP)、過熱檢測 (OTD) 以及盡可能縮短第三象限導(dǎo)通時間的零電壓檢測 (ZVD) 報告。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應(yīng)用來說，該器件是理想的解決方案。
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
(2) 預(yù)告信息。產(chǎn)品處于樣片和預(yù)量產(chǎn)階段。
(3) 封裝尺寸（長 × 寬）為標稱值，并包括引腳（如適用）。
簡化版方框圖