ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
該器件針對(duì) GaNFET 的任何跨導(dǎo)提供全面保護(hù)。在半橋配置中,通過插入死區(qū)時(shí)間 (tDEAD) 來控制高側(cè)和低側(cè) GaNFET 的運(yùn)行,從而避免任何擊穿電流。使用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間電路來實(shí)施此過程,該電路檢測(cè)低側(cè) GaNFET 的柵源電壓 (VGS) 和同一半橋的相位節(jié)點(diǎn) (OUTx) 電壓。