ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 絕對最大額定值
- 6 ESD 等級
- 7 建議運行條件
- 8 熱性能信息
- 9 電氣特性
- 10時序圖
- 11典型特性
- 12詳細說明
- 13應(yīng)用和實施
- 14布局
- 15修訂歷史記錄
- 16器件和文檔支持
- 17機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
12.4.4 GaNFET 過流保護
DRV7308 通過監(jiān)控 GaNFET 的 VDS，為每個和低側(cè) GaNFET 集成了過流保護。在任何時候，如果 GaNFET 電流超過 IOCP_GaN，則通過關(guān)閉 GaNFET 前置驅(qū)動器，可關(guān)閉所有集成 GaNFET 并鎖存，直至通過 EN 引腳上的 20μs 至 40μs 開關(guān)脈沖或通過 GVDD 上電下電來清除。通過將 nFAULT 引腳驅(qū)動至低電平可報告過流事件。
圖 12-9 GaNFET 過流保護