9 電氣特性

T_J = –40°C 至 150°C，V_GVDD = 15V，EN = 高電平（除非另有說(shuō)明）。在 T_A = 25°C、V_GVDD = 15V 時(shí)適用典型限值

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
GaN 功率晶體管
R_DS(ON)	GaN 晶體管導(dǎo)通電阻	V_GVDD = 15V、I_OUTx = 1A、T_J = 25^oC、		205	320	mΩ
R_DS(ON)	GaN 晶體管導(dǎo)通電阻	V_GVDD = 15V，I_OUTx= 1A，T_J= 150^oC，		370		mΩ
V_SD	第三象限模式源漏電壓	INx = 0V，ISD = 0.1A，T_J = 25^oC		1.5	2.5	V
V_SD	第三象限模式源漏電壓	INx = 0V，ISD = 4A，T_J = 25^oC		2.8		V
Q_RR	反向恢復(fù)電荷	V_R = 300V，I_SD = 4A，dI_SD/dt = 0.2 A/ns			0	nC
開(kāi)關(guān)特性
SR	相位引腳壓擺率從低切換到高（從 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 0		4		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從高切換到低（從 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 0		4		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從低切換到高（從 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 1		10		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從高切換到低（從 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 1		10		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從低切換到高（從 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 2		20		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從高切換到低（從 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 2		20		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從低切換到高（從 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 3		40		V/ns
SR	相位引腳壓擺率從高切換到低（從 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 設(shè)置 = 3		40		V/ns
t_pd,on	導(dǎo)通傳播延遲	V_INHx、V_INLx = 邏輯低電平至高電平、V_VM = 300V、I_D = 4A、SR = 0			125	ns
t_delay,on	導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間	V_INHx、V_INLx = 邏輯低電平至高電平，VVM = 300V，I_D = 4A，SR = 0		75		ns
t_pd,off	關(guān)斷傳播延遲	V_INHx、V_INLx = 邏輯高電平至低電平、V_VM = 300V、I_D = 4A、SR = 0			135	ns
t_delay,off	關(guān)閉延時(shí)時(shí)間	V_INHx、V_INLx = 邏輯高電平至低電平，V_VM = 300V，I_D = 4A，SR = 0		75		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間（高電平到低電平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流出相位節(jié)點(diǎn)的電流 (OUTx) SR = 0、1		40		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間（高電平到低電平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位節(jié)點(diǎn)的電流 (OUTx)、SR = 0		100		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間（高電平到低電平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位節(jié)點(diǎn)的電流 (OUTx)、SR = 1 或 2 或 3		100		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間（低電平到高電平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位節(jié)點(diǎn)的電流 (OUTx)		40		ns
t_start	啟動(dòng)時(shí)間	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 低電平到高電平，INLx = 1，低側(cè) GaNFET 導(dǎo)通			2	ms
t_off	器件關(guān)斷時(shí)間 - 進(jìn)入睡眠模式	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 從高電平到低電平	40		80	us
t_{clr_flt}	使用 EN 清除任何鎖存故障的時(shí)間	EN = 低脈沖寬度	15		40	us
t_off	器件關(guān)斷時(shí)間 - 柵極驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 高電平至低電平，INLx = 1，低側(cè) GaNFET 關(guān)斷		80		μs
GVDD 電源
I_GVDD,Q	GVDD 工作電流，驅(qū)動(dòng)器啟用，無(wú)開(kāi)關(guān)	EN =高電平、V_VM = 300V、INx = 0		2.3		mA
I_GVDD,3SW	GVDD 平均工作電流，驅(qū)動(dòng)器啟用，GaN 開(kāi)關(guān)，OUTx 引腳上無(wú)負(fù)載	EN = 高電平，F(xiàn)sw = 20kHz，50% 互補(bǔ) PWM 時(shí)的 3 半橋開(kāi)關(guān)，V_VM = 300V，VGVDD = 15V，SR = 0		3.7		mA
V_{GVDD_UV_R}	GVDD 欠壓閾值 - 上升	GVDD 上升			10	V
V_{GVDD_UV_F}	GVDD 欠壓閾值 - 下降。	GVDD 下降	9			V
V_{GVDD_UV_HYS}	GVDD 欠壓檢測(cè)磁滯	GVDD 上升至下降閾值		500		mV
t_{UVLO_GVDD}	GVDD 欠壓抗尖峰脈沖時(shí)間				20	μs
自舉電源
R_{DS_ BST}	自舉整流器導(dǎo)通電阻	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V			30	?
I_{LMT_BST}	自舉整流器電流限制	EN = 高電平，V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，INLx = 高電平，INHx = 低電平，V_BOOTx - V_OUTx = 12V	150		250	mA
I_{BST_PK}	自舉整流器峰值瞬態(tài)電流	EN = 高電平，V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，INLx = 高電平，INHx = 低電平，V_BOOTx - V_OUTx = 0V		350		mA
I_{BST_Q}	自舉靜態(tài)電流	EN =高電平、INHx =低電平、INLx =低電平、V_GVDD = 15V、V_BOOTx - V_OUTx = 12V		100	145	μA
I_{BST_Q}	自舉靜態(tài)電流	EN = 高電平、INHx = 高電平、INLx = 低電平、V_GVDD = 15V、V_BOOTx - V_OUTx = 12V		350		μA
V_{BST_UV}	自舉電源欠壓	BOOTx 上升			9	V
V_{BST_UV}	自舉電源欠壓	BOOTx 下降	8			V
V_{BST_UV_HYS}	自舉電源欠壓遲滯			500		mV
t_{BST_UV}	自舉電源欠壓抗尖峰脈沖時(shí)間				20	μs
邏輯電平輸入（EN、INHx、INLx、BRAKE）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓	INHx、INLx、BRAKE、EN			0.8	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓	INHx、INLx、BRAKE、EN	2.2			V
V_HYS	輸入邏輯遲滯	INHx、INLx、BRAKE、EN	300	450	650	mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流（INHx、INLx、BRAKE、EN）	V_I = 0V	-1		1	μA
I_IL	輸入邏輯低電平電流（BRAKE、EN）	V_I = 0V	-1		1	μA
R_PD	輸入下拉電阻	INHx、INLx、EN	70	100	130	kΩ
R_PD	輸入下拉電阻	BRAKE	15	20	25	kΩ
t_deg	輸入邏輯抗尖峰脈沖時(shí)間	INHx、INLx	25		50	ns
t_deg	輸入邏輯抗尖峰脈沖時(shí)間	EN		80		μs
t_deg	輸入邏輯抗尖峰脈沖時(shí)間	BRAKE	1200		2000	ns
多電平輸入 (SR)
R_L1	SR 設(shè)置 = 0	連接至 GND	0		1	k?
R_L2	SR 設(shè)置 = 1	連接至 GVDD	0		1	k?
R_L3	SR 設(shè)置 = 2	R 連接至 GND（R = 5kΩ 至 15kΩ）	5		15	k?
R_L4	SR 設(shè)置 = 3	R 連接至 GND（R = 40kΩ 至 100kΩ）	40		100	k?
開(kāi)漏輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電平電壓	I_OD = 5mA			0.4	V
I_OH	輸出邏輯高電平電流	V_OD = 5V	-1		1	μA
C_OD	輸出電容				30	pF
GaN 前置驅(qū)動(dòng)器保護(hù)
I_{OCP_GaN}	低側(cè) GaNFET 過(guò)流檢測(cè)閾值	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，T_J = 25^oC	7.5		24	A
I_{OCP_GaN}	低側(cè) GaNFET 過(guò)流檢測(cè)閾值	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，T_J = 125^oC	5			A
t_{OCP_GaN_BT}	消隱時(shí)間（包括抗尖峰脈沖）	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V		150		ns
t_{OCP_GaN_PD}	（FET 關(guān)斷的）傳播延遲	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V		50		ns
T_{SD_RISE}	熱關(guān)斷上升	芯片溫度 (T_J)	145	165	185	^oC
T_{SD_FALL}	熱關(guān)斷下降	芯片溫度 (T_J)	125	145	165	^oC
T_{SD_HYST}	熱關(guān)斷遲滯	芯片溫度 (T_J)	13	20		^oC
電流限制比較器 (ILIMIT)
I_b	輸入偏置電流 (ILIMIT)	V_ILIMIT = 0.5V			1	μA
V_off	ILIMIT 比較器輸入電壓偏移	V_ILIMIT = 1.0V		±2.5		mV
V_{ILIMIT_DIS}	禁用 ILIMIT OCP 的最小 ILIMIT 電壓		2.2		2.6	V
V_ILIMIT	ILIMIT 上的操作電壓范圍				2	V
t_blank	過(guò)電流檢測(cè)在所有 SLx 輸入端消隱，從任何 INHx/INLx 導(dǎo)通/關(guān)斷		400		620	ns
t_deglitch	過(guò)流檢測(cè)抗尖峰脈沖時(shí)間		190		330	ns
t_filter	ILIMIT 比較器輸入 RC 濾波器時(shí)間 (SLx)	V_SLx = 0V 至 1V 階躍、VILIMIT = 0.63V	250		450	ns
t_filter	ILIMIT 基準(zhǔn)電壓輸入 RC 濾波時(shí)間 (ILIMIT)	V_ILIMIT= 1V 至 0V 階躍，V_SLx= 0.37V	600	1000		ns
t_{pd_OFF}	從 ILIMIT 過(guò)流檢測(cè)到所有 GaNFET 關(guān)斷的傳播延遲時(shí)間	V_ILIMIT= 0.63V，V_SLx= 0V 至 1V 階躍，INx = 恒定			1.2	μs
t_{pd_FAULT}	從 ILIMIT 過(guò)流檢測(cè)到 nFAULT 引腳報(bào)告的傳播延遲時(shí)間	V_ILIMIT= 0.63V，V_SLx = 0V 至 1V 階躍，INx =恒定			1	μs
運(yùn)算放大器
V_LINEAR	輸出電壓擺幅	R_L = 10k 至 GND	0.02		4.9	V
GBW	增益帶寬積	RL = 10k，G = +1，		11		MHz
V_{SR_opamp}	輸出電壓壓擺率	RL = 10k，G=+1，		26		V/μs
t_set	精度達(dá) ±1% 的穩(wěn)定時(shí)間	2V 階躍，G = +1，CL = 130pF，RL = 10k		0.4		μs
A_OL	開(kāi)環(huán)電壓增益	0.04V < VAMPOUT < 4.8V、RL = 10kΩ 至 GND		106		dB
φ_m	相位裕度	G =+1、RL = 10k		60		^o
V_COM	共模輸入范圍		0		5	V
V_OFF	輸入失調(diào)電壓誤差	TA = -40°C 至 125°C		±1		mV
V_DRIFT	漂移失調(diào)電壓	TA = –40°C 至 125°C		±2		μV/^oC
I_bias	輸入偏置電流	V_AMPIN- = V_AMPIN+ = 2.5V		±100		nA
I_{bias_off}	輸入偏置失調(diào)電流	V_AMPIN- = V_AMPIN+ = 2.5V		±10		nA
CMRR	共模抑制比	– 0.1V < VCM < 5V，TA = –40°C 至 125°C		96		dB
I_{SC_opamp}	短路電流			±20		mA
Z_o	開(kāi)環(huán)輸出阻抗	f = 5MHz		250		?
C_L	容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)				130	pF
溫度傳感器
V_T	溫度檢測(cè)元件輸出 (VTEMP) 電壓	TA = 25°C		1.98		V
R_T	VTEMP 引腳上的最小負(fù)載電阻	V_T 的測(cè)試條件	90			k?
C_T	VTEMP 引腳上的最大負(fù)載電容	V_T 的測(cè)試條件			130	pF