ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
如果 GaNFET 附近的芯片溫度超過(guò)熱關(guān)斷限值 (TOTSD) 的觸發(fā)點(diǎn)，則會(huì)禁用所有 GaNFET 并將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)至低電平。如果因高側(cè) GaNFET 溫度上升而檢測(cè)到 OTSD 事件，那么當(dāng)清除過(guò)熱條件并通過(guò) EN 引腳上的 20μs 至 40μs 開(kāi)關(guān)脈沖或通過(guò) GVDD 電源上電下電來(lái)清除故障后，器件將再次開(kāi)始正常運(yùn)行（驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行且釋放 nFAULT 引腳）。如果因低側(cè) GaNFET 溫度上升而檢測(cè)到 OTSD 事件，則會(huì)在過(guò)熱條件清除后重新開(kāi)始正常運(yùn)行。