ZHCSZ39A September 2025 – December 2025 DRV81646
PRODUCTION DATA
負(fù)載的電阻會(huì)影響通道在觸發(fā)熱關(guān)斷之前在線性區(qū)域中運(yùn)行的時(shí)間。電阻的功能與線性壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 類似，其中較高的壓降需要器件消耗更多功率。
例如，以一個(gè) 24V 系統(tǒng)為例，5Ω 負(fù)載與 11Ω 負(fù)載的 ILIM 設(shè)置為 1A。在不限制電流的情況下，這些電流分別消耗 4.8A 和 2.2A，但使用 ILIM 功能時(shí)，這些電流調(diào)節(jié)至 1A。使用 方程式 3 計(jì)算 FET 的線性區(qū)域電阻，以實(shí)現(xiàn)此 1A 電流限制：
重新排列 方程式 4 以求解 RDS(ON)，然后插入加載 5Ω 和 11Ω 的系統(tǒng)值：
使用此電阻可計(jì)算 DRV81646 FET 內(nèi)部耗散的功率：
如 方程式 8 和 方程式 9 中所示，即使兩個(gè)負(fù)載都限制為 1A，DRV81646 的 5Ω 負(fù)載功耗也必須高于 11Ω 負(fù)載。此功率耗散與 FET 隨時(shí)間推移的溫升直接相關(guān)。耗散的功率越大，通道的熱關(guān)斷速度就越快。