ZHCSZ39A September 2025 – December 2025 DRV81646
PRODUCTION DATA
DRV81646 器件中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻或 RDS(on) 中耗散的功率決定。每個(gè) FET 在運(yùn)行靜態(tài)負(fù)載時(shí)的平均功耗可以通過(guò) 方程式 18 大致估算：
其中
在啟動(dòng)和故障情況下，此電流遠(yuǎn)大于正常運(yùn)行電流；請(qǐng)將這些峰值電流及其持續(xù)時(shí)間考慮在內(nèi)。當(dāng)同時(shí)驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載時(shí)，必須將所有有源輸出級(jí)的功率相加。
器件中可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。
請(qǐng)注意，RDS(on) 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會(huì)增大。在確定散熱器尺寸時(shí)，請(qǐng)考慮這一操作。